整流二極管(rectifierdiode)它是將交流電轉換為直流電的半導體器件。

單向導電是二極管最重要的特征。

在電路中，電流只能從二極管的正負極流出。

整流二極管通常包括一個PN結，有兩個兩端。

P區域的載流子是空穴，N區域中的載流子是電子P區和N間隔形成一定的位基。

加上電壓使P區相對N當區域為正電壓時，位基降低，位基兩側附近產生存儲載流子，可通過大電流降低電壓(典型值為0.7V），它被稱為正導通狀態。

如果增加相反的電壓以增加位壘，它可以承受高反向電壓，并通過一個小的反向電流（稱為反向泄漏電流），這稱為反向阻塞狀態。

整流二極管可以由半導體鍺或硅制成。

硅整流二極管具有高擊穿電壓、低反向泄漏電流和良好的高溫性能。

通常，高壓大功率整流二極管是由高純單晶硅制成的（當摻雜較多時，很容易反向擊穿）。

該裝置具有較大的結面積，可通過較大的電流（可達數千安），但工作頻率不高，一般低于幾十千赫。

整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如果需要全波整流，則需要連接成整流橋。

整流橋是將整流管密封在一個外殼中，分為全橋和半橋。

整個橋梁將連接的橋式整流電路的四個二極管密封在一起。

半橋是將四個二極管橋式整流的一半密封在一起。

兩個半橋可以形成一個橋式整流電路，一個半橋也可以形成一個帶有中央抽頭的變壓器全波整流電路。

在選擇整流橋時，應考慮整流電路和工作電壓。

整流橋作為一種功率元件，廣泛應用于各種電源設備中。

其內部主要由四個二極管組成，以實現將輸入交流電壓轉換為輸出直流電壓。

整流橋接線方法及接線圖

整流橋的連接方式主要分為兩種，一種是實物產品與電路圖的對應方式。

橋式整流電路的內部結構如上圖所示。

整流橋的第二種連接方式是電路中實物產品的連接方式。

一般來說，大多數電路現在使用高壓整流。

整流橋前端為交流220V進入整流橋AC在交流端，負載電器的正極由正極直流輸出連接，整流橋的負極通過負載電器的負極連接形成回路，從而完成整個電源整流路徑。